S25FL128SAGMFI00介绍:

描述 IC FLASH 128MBIT 133MHZ 16SO

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） SPI - 四 I/O 133MHz 16-SOIC

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 FL-S

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 闪存

技术 FLASH - NOR

存储容量 128Mb （16M x 8）

时钟频率 133MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 SPI - 四 I/O

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装 16-SOIC

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

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闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。