SIA450DJ-T1-GE3介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 240V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.52A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 7.04nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 167pF @ 120V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.3W（Ta），15W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.9 欧姆 @ 700mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单

封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体） 等等，

Strong Product Line：DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等品牌，

艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业，为客户提供17%的增值税票，开拓终端工厂市场，

提供的电子元件配套服务!                

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NMOS的临界电压，将需要两种不同的金属分别做其栅极材料，对于制程又是一个很大的变量。