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NVJD5121NT1G 集成电路IC MOSFET
发布时间: 2020/1/6 10:48:13 | 335 次阅读
NVJD5121NT1G介绍:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 900 pC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
公司主推物料现货:
SPZTA42T1G(ON) SPZT651T1G(ON) SPZT751T1G(ON) NVJD5121NT1G(ON)
NSV20201LT1G(ON) NSV20200LT1G(ON) NVD14N03RT4G(ON) MGSF1P02LT1G(ON)
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艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前为TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体);等等,DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等品牌;
艾睿(深圳)实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。于2017年在深圳成立并申请为一般纳税人企业,为客户提供13%的增值税票,开拓终端工厂市场,提供的电子元件配套服务!
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 900 pC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
公司主推物料现货:
SPZTA42T1G(ON) SPZT651T1G(ON) SPZT751T1G(ON) NVJD5121NT1G(ON)
NSV20201LT1G(ON) NSV20200LT1G(ON) NVD14N03RT4G(ON) MGSF1P02LT1G(ON)
NVJD5121NT1G封装:
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艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前为TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体);等等,DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等品牌;
艾睿(深圳)实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。于2017年在深圳成立并申请为一般纳税人企业,为客户提供13%的增值税票,开拓终端工厂市场,提供的电子元件配套服务!
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201。