SI9926CDY-T1-GE3介绍：

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.1 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

系列: SI9  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 3.9 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 45 S  

下降时间: 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

零件号别名: SI9926CDY-GE3  

单位重量: 187 mg

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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