IRGP30B120KD-EP 介绍:

描述 IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

详细描述 IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 不適用於新設計

IGBT 类型 NPT

电压 - 集射极击穿（值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（值） 60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 4V @ 15V，60A

功率 - 值 300W

开关能量 1.07mJ（开），1.49mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 169nC

25°C 时 Td（开/关）值 -

测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 300ns

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247AD

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。