BSC093N04LSG 介绍:

描述 MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Ta），49A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 14μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 24nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1900pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），35W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。