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晶体管 IRFB4410PBF MOSFET - 单
发布时间: 2018/5/31 14:15:59 | 426 次阅读
IRFB4410PBF介绍:
描述 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 通孔 N 沟道 100V 88A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 180nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 5150pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 10 毫欧 @ 58A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供直接的货源、减少产品的流通环节,
降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、
INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等,
Strong Product Line:DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等品牌,
艾睿(深圳)实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。
于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业,为客户提供16%的增值税票,开拓终端工厂市场,
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ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。