IRF9956介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 190pF @ 15V

功率 - 值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 IRF9956PBF

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel)

、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)

、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)

、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、

仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。