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湖人半导体（深圳）有限公司
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询价相关产品
产品信息
概述
的沟道功率MOSFET技术
非常低的RDS（on ）在4.5VGS
低栅极电荷
高电流能力
RoHS和无卤的
AOD516参数
VDS 30V
ID (at VGS=10V) 46A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 5mΩ
RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 10mΩ
100% UIS Tested
100% Rg Tested
AOD516应用
计算机中的DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
AOD516产品概述
AOD516产品一般信息
数据列表AOD516/AOI516;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta），46A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1229pF @ 15VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）2.5W（Ta），50W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
